จีน ผงโลหะผสมทองแดงโครเมียมเซอร์โคเนียมทรงกลมสำหรับการพิมพ์ 3 มิติ ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน

ทุกคนรู้เกี่ยวกับแร่แมงกานีสซึ่งเป็นสารอาหารที่สำคัญสำหรับร่างกายมนุษย์ แต่สิ่งที่หลายคนอาจไม่รู้ก็คือแมงกานีสสามารถทำอะไรได้มากกว่าแค่ช่วยให้เรามีสุขภาพแข็งแรง นักวิทยาศาสตร์ได้ค้นพบว่าเมื่อแมงกานีสถูกแปรรูปเป็นผงละเอียดที่เรียกว่านาโนแมงกานีสหรือผงแมงกานีสไดออกไซด์ระดับนาโน มันสามารถมีศักยภาพมหาศาลสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในด้านต่างๆ ในโพสต์บนบล็อกนี้ เราจะสำรวจนาโนเทคโนโลยีเชิงปฏิวัติและการประยุกต์ใช้ผงแมงกานีสไดออกไซด์

มีวิธีการหลักสามวิธีในการเตรียมท่อนาโนคาร์บอนผนังเดี่ยว: วิธีอาร์ก, วิธีการระเหยด้วยเลเซอร์ และวิธีสะสมไอสารเคมี (CVD)

เนื่องจากความต้องการของตลาดสำหรับผงนาโนขนาดเล็กพิเศษยังคงเพิ่มขึ้น อุตสาหกรรมต่างๆ กำลังมองหาวิธีที่เชื่อถือได้ในการวัดการกระจายขนาดอนุภาคของวัสดุเหล่านี้ ในบทความนี้ เราจะสำรวจวิธีการที่ได้รับความนิยมมากที่สุดในการวัดการกระจายขนาดอนุภาคของผงนาโนที่มีขนาดเล็กมาก และเน้นว่า SAT NANO เป็นผู้นำในการจัดหาผงนาโนที่มีขนาดเล็กพิเศษคุณภาพสูงได้อย่างไร

การสังเคราะห์จุดควอนตัมคาร์บอนสามารถแบ่งออกได้เป็น 2 ประเภทใหญ่ๆ คือ วิธีจากบนลงล่าง และวิธีจากล่างขึ้นบน ผ่านการบำบัดล่วงหน้า การเตรียม และการประมวลผลในภายหลัง สามารถควบคุมขนาดจุดควอนตัมคาร์บอน เคลือบบนพื้นผิว เติมด้วยเฮเทอโรอะตอม และนาโนคอมโพสิตเพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนด

เนื่องจากความต้องการวัสดุคุณภาพสูงในอุตสาหกรรมต่างๆ ยังคงเติบโต ความต้องการเทคนิคและวิธีการกระจายผงที่มีประสิทธิภาพจึงมีความสำคัญมากขึ้นเรื่อยๆ การกระจายตัวของผงหมายถึงกระบวนการผสมอนุภาคแห้งกับตัวกลางที่เป็นของเหลวเพื่อสร้างสารละลายหรือสารแขวนลอยที่เป็นเนื้อเดียวกัน ในบทความนี้ เราจะสำรวจเทคนิคการกระจายตัวของผงและวิธีการที่ใช้โดย SAT NANO เพื่อผลิตผงละเอียดพิเศษคุณภาพสูง

ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีวงจรรวม (IC) การปรับสเกลของเมคิลด์เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ที่ใช้ซิลิกอน (MOS) ผลกระทบภาคสนาม (FETs) กำลังเข้าใกล้ขีด จำกัด ทางกายภาพพื้นฐานของพวกเขา คาร์บอนท่อนาโน (CNTs) ได้รับการพิจารณาว่าเป็นวัสดุที่มีแนวโน้มในยุคซิลิคอนโพสต์เนื่องจากความหนาของอะตอมและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์โดยมีศักยภาพในการปรับปรุงประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์ในขณะที่ลดการใช้พลังงาน ท่อนาโนคาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูง (A-CNT) เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการขับขี่ ICS ขั้นสูงเนื่องจากความหนาแน่นกระแสสูง อย่างไรก็ตามเมื่อความยาวของช่อง (LCH) ลดลงต่ำกว่า 30nm ประสิทธิภาพของเกตเดี่ยว (SG) A-CNT FET จะลดลงอย่างมีนัยสำคัญส่วนใหญ่จะปรากฏเป็นลักษณะการสลับที่เสื่อมสภาพและเพิ่มกระแสรั่วไหล บทความนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อเปิดเผยกลไกของการเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพใน A-CNT FET ผ่านการวิจัยเชิงทฤษฎีและการทดลองและเสนอวิธีแก้ปัญหา