การกระจายตัวของ ATO มีบทบาทสำคัญในวัสดุนำไฟฟ้าโปร่งใสที่ทันสมัย การเคลือบฉนวนกันความร้อน และการใช้งานป้องกันไฟฟ้าสถิต ในคู่มือเชิงลึกนี้ SAT NANO อธิบายว่า ATO Dispersion คืออะไร ทำงานอย่างไร ใช้ที่ไหน และเหตุใดจึงกลายเป็นวัสดุที่ขาดไม่ได้สำหรับสูตรทางอุตสาหกรรมที่มีประสิทธิภาพสูง
ในฐานะคนที่มีส่วนร่วมอย่างลึกซึ้งในด้านวัสดุศาสตร์ ฉันได้เห็นโดยตรงแล้วว่าส่วนประกอบที่เหมาะสมสามารถเปลี่ยนประสิทธิภาพได้อย่างไร ความก้าวหน้าที่น่าตื่นเต้นที่สุดประการหนึ่งที่เราบูรณาการที่ SAT NANO นั้นเกี่ยวข้องกับอนุภาคนาโนของดีบุกไดออกไซด์
ในฐานะนักวิจัยที่มีประสบการณ์มากกว่าสองทศวรรษในด้านวัสดุศาสตร์ ฉันได้เห็นโดยตรงถึงความท้าทายที่มาพร้อมกับการสังเคราะห์สารแขวนลอยอนุภาคนาโนของโลหะออกไซด์คุณภาพสูงอย่างสม่ำเสมอ การต่อสู้นั้นเป็นเรื่องจริง การรวมตัวกันซึ่งอนุภาคเล็กๆ ที่ทรงพลังเหล่านั้นเกาะติดกัน สามารถทำลายคุณสมบัติที่เราทำงานอย่างหนักเพื่อให้บรรลุผลสำเร็จได้
มีวิธีการหลักสามวิธีในการเตรียมท่อนาโนคาร์บอนผนังเดี่ยว: วิธีอาร์ก, วิธีการระเหยด้วยเลเซอร์ และวิธีสะสมไอสารเคมี (CVD)
ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีวงจรรวม (IC) การปรับสเกลของเมคิลด์เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ที่ใช้ซิลิกอน (MOS) ผลกระทบภาคสนาม (FETs) กำลังเข้าใกล้ขีด จำกัด ทางกายภาพพื้นฐานของพวกเขา คาร์บอนท่อนาโน (CNTs) ได้รับการพิจารณาว่าเป็นวัสดุที่มีแนวโน้มในยุคซิลิคอนโพสต์เนื่องจากความหนาของอะตอมและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์โดยมีศักยภาพในการปรับปรุงประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์ในขณะที่ลดการใช้พลังงาน ท่อนาโนคาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูง (A-CNT) เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการขับขี่ ICS ขั้นสูงเนื่องจากความหนาแน่นกระแสสูง อย่างไรก็ตามเมื่อความยาวของช่อง (LCH) ลดลงต่ำกว่า 30nm ประสิทธิภาพของเกตเดี่ยว (SG) A-CNT FET จะลดลงอย่างมีนัยสำคัญส่วนใหญ่จะปรากฏเป็นลักษณะการสลับที่เสื่อมสภาพและเพิ่มกระแสรั่วไหล บทความนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อเปิดเผยกลไกของการเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพใน A-CNT FET ผ่านการวิจัยเชิงทฤษฎีและการทดลองและเสนอวิธีแก้ปัญหา
การวิจัยของเราที่ Sat Nano ได้ระบุข้อได้เปรียบที่สำคัญหลายประการ ประการแรกสารเติมแต่งอนุภาคนาโนของบอร์ไรด์สร้างสิ่งกีดขวางที่หนาแน่นและเหนียวแน่นมากขึ้นต่อความชื้นและการเจาะทางเคมี ประการที่สองพวกเขาปรับปรุงความต้านทานต่อการเสียดสีอย่างมาก-มักจะเพิ่มขึ้น 200-300% เมื่อเทียบกับการเคลือบมาตรฐาน ประการที่สามพวกเขารักษาเสถียรภาพที่อุณหภูมิสูงกว่า 800 ° C ซึ่งการเคลือบแบบดั้งเดิมจะลดลงอย่างรวดเร็ว
