จีน Cs0.33WO3 ผงนาโน ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน

เมื่อทำผลิตภัณฑ์บางอย่าง เช่น สี สารเคลือบ และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ จำเป็นต้องใช้ผงนาโน อย่างไรก็ตาม ผงเหล่านี้อาจกระจายตัวได้ยากและอาจจับตัวกันเป็นก้อน ทำให้เกิดปัญหากับคุณภาพของผลิตภัณฑ์ เพื่อต่อสู้กับปัญหานี้ จึงมีการใช้สารช่วยกระจายตัวเพื่อแยกและกระจายผงเหล่านี้อย่างมีประสิทธิภาพ ในบทความนี้ เราจะหารือเกี่ยวกับการใช้และประโยชน์ของสารช่วยกระจายตัวสำหรับการกระจายตัวของผงนาโน

ในโลกปัจจุบัน การใช้อนุภาคนาโนในอุตสาหกรรมต่างๆ แพร่หลายมากขึ้น สารชนิดหนึ่งที่ได้รับความสนใจอย่างมากคือผงเจอร์เมเนียมขนาดนาโน สารคุณภาพสูงและมีคุณค่านี้ได้ปฏิวัติอุตสาหกรรมหลายประเภทเนื่องจากคุณสมบัติพิเศษ เช่น การกระจายความร้อน การนำไฟฟ้า และอื่นๆ ในบล็อกนี้ เราจะเจาะลึกเข้าไปในโลกของผงนาโนเจอร์เมเนียม และสำรวจคุณประโยชน์มากมายของมัน

การจัดเรียงอนุภาคใหม่และความหนาแน่น: ในการเผาแบบเฟสของเหลวการสร้างเฟสของเหลวและการจัดเรียงอนุภาคใหม่เป็นขั้นตอนสำคัญในการสร้างความหนาแน่น อนุภาคขนาดเล็กมีพื้นที่ผิวเฉพาะขนาดใหญ่และพลังงานพื้นผิว หลังจากเกิดเฟสของเหลวเฟสของแข็งจะเปียกโดยเฟสของเหลวและแทรกซึมเข้าไปในช่องว่างระหว่างอนุภาค หากปริมาณของเฟสของเหลวเพียงพออนุภาคเฟสของแข็งจะถูกล้อมรอบด้วยเฟสของเหลวอย่างสมบูรณ์และประมาณสถานะที่ถูกระงับ ภายใต้แรงตึงผิวของเฟสของเหลวพวกเขาจะได้รับการกระจัดและการปรับตำแหน่งดังนั้นจึงบรรลุการจัดเรียงที่กะทัดรัดที่สุด ในขั้นตอนนี้ความหนาแน่นของร่างกายที่ถูกเผาจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว

เนื่องจากความต้องการของตลาดสำหรับผงนาโนขนาดเล็กพิเศษยังคงเพิ่มขึ้น อุตสาหกรรมต่างๆ กำลังมองหาวิธีที่เชื่อถือได้ในการวัดการกระจายขนาดอนุภาคของวัสดุเหล่านี้ ในบทความนี้ เราจะสำรวจวิธีการที่ได้รับความนิยมมากที่สุดในการวัดการกระจายขนาดอนุภาคของผงนาโนที่มีขนาดเล็กมาก และเน้นว่า SAT NANO เป็นผู้นำในการจัดหาผงนาโนที่มีขนาดเล็กพิเศษคุณภาพสูงได้อย่างไร

ผงซิลิกอนคาร์ไบด์กลายเป็นวัสดุยอดนิยมในอุตสาหกรรมต่างๆ เนื่องจากมีคุณสมบัติเฉพาะตัว เช่น ความแข็งสูง ทนต่อการสึกหรอสูง และมีค่าการนำความร้อนที่ดีเยี่ยม ผงซิลิกอนคาร์ไบด์มีสองประเภท ได้แก่ Alpha SiC และ Beta SiC ในบทความนี้ เราจะสำรวจความแตกต่างระหว่างผงซิลิกอนคาร์ไบด์ทั้งสองประเภทและการใช้งาน

ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีวงจรรวม (IC) การปรับสเกลของเมคิลด์เซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ที่ใช้ซิลิกอน (MOS) ผลกระทบภาคสนาม (FETs) กำลังเข้าใกล้ขีด จำกัด ทางกายภาพพื้นฐานของพวกเขา คาร์บอนท่อนาโน (CNTs) ได้รับการพิจารณาว่าเป็นวัสดุที่มีแนวโน้มในยุคซิลิคอนโพสต์เนื่องจากความหนาของอะตอมและคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่เป็นเอกลักษณ์โดยมีศักยภาพในการปรับปรุงประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์ในขณะที่ลดการใช้พลังงาน ท่อนาโนคาร์บอนที่มีความบริสุทธิ์สูง (A-CNT) เป็นตัวเลือกที่เหมาะสำหรับการขับขี่ ICS ขั้นสูงเนื่องจากความหนาแน่นกระแสสูง อย่างไรก็ตามเมื่อความยาวของช่อง (LCH) ลดลงต่ำกว่า 30nm ประสิทธิภาพของเกตเดี่ยว (SG) A-CNT FET จะลดลงอย่างมีนัยสำคัญส่วนใหญ่จะปรากฏเป็นลักษณะการสลับที่เสื่อมสภาพและเพิ่มกระแสรั่วไหล บทความนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อเปิดเผยกลไกของการเสื่อมสภาพของประสิทธิภาพใน A-CNT FET ผ่านการวิจัยเชิงทฤษฎีและการทดลองและเสนอวิธีแก้ปัญหา